고밀도 플라즈마를 이용한 10nm급 반도체 및 10세대 디스플레이용 핵심원천 기술 개발

• 과제명 : 고밀도 플라즈마를 이용한 10nm급 반도체 및 10세대 디스플레이용 핵심원천 기술 개발
• 과제명 (영문) : Development of fundamental technology for 10 nm process semiconductor and 10 G size large area process with high plasma density and VHF condition
• 총 수행기간 : 2012. 06. 01 - 2016. 05. 31
• 지원기관 : 한국산업기술평가관리원
• 연구내용 : 본 연구는 디스플레이용 핵심원천 기술개발을 위한 것이며, 본 연구팀의 최종 목표는 디스플레이 소자용 저온 절연막의 식각 공정 개발이며, 이를 위해 저온 Si을 기반으로, 투명 산화물 IGZO, Mo, SiNx 등의 재료를 CF4, C4F8, CH2F2, Cl2, SF6, O2, N2, Ar 등의 가스를 활용하여 다양한 식각 공정을 개발하였음. 이를 위해 Langmuir probe system, Optical emission system등의 plasma 진단 tool을 이용하여 플라즈마 특성을 모델링하여 식각 특성 메커니즘을 규명하였음.